Полевой транзистор IXFH60N50P/500 В/60 А/1040 Вт. /IXYS. 400 гривен.

Наименование прибора: IXFH60N50P3.
Характеристики.
Тип транзистора: MOSFET.
Тип канала : N.
Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В : 500.
Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А : 60.
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт. : 1040.
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Ugs max), В. : 30.
Максимальный импульсный ток стока (Idm), А. : 150.
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V.
Полный заряд затвора, нКл. : 96
Сопротивление сток-исток при 10V, Ом. : 0.11.
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
Общий заряд затвора (Qg) : 96 nC.
Время нарастания (tr) : 250 ns.
Тип корпуса : TO247.

Посылку отправляю после полной предоплаты.
Это означает, что наложенным платежом я не отправляю.